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FDC6301N

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  • 大小:474KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:220mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 欧姆 @ 400mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:9.5pF @ 10V
  • 功率 - 最大:700mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装:6-SSOT
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FDC6301NTR
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