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PBSS4140T

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  • 大小:68.63KB
  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.4mm
  • 封装类型:TO-236AB
  • 尺寸:1 x 3 x 1.4mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:450 mW
  • 最大发射极-基极电压:5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压:1.2 V
  • 最大直流集电极电流:1 A
  • 最大集电极-发射极电压:40 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:0.5 V
  • 最大集电极-基极电压:40 V
  • 最小直流电流增益:200 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 最高工作频率:150 MHz
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极小信号
  • 配置:单
  • 长度:3mm
  • 高度:1mm
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