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PBSS4350T

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  • 大小:75.8KB
  • 厂家:Philips
  • 描述:50 V low VCEsat NPN transistor
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.4mm
  • 封装类型:TO-236AB
  • 尺寸:1 x 3 x 1.4mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:1200 mW
  • 最大发射极-基极电压:5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压:1.2 V
  • 最大直流集电极电流:2 A
  • 最大集电极-发射极电压:50 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:0.37 V
  • 最大集电极-基极电压:50 V
  • 最小直流电流增益:100 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 最高工作频率:100 MHz
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极小信号
  • 配置:单
  • 长度:3mm
  • 高度:1mm
PBSS4350T 相关信息
  • 双极晶体管和肖特基二极管改进技术
    ...状结构发射极技术,现在已经可以在SOT23封装中提供集电极电流大于2A的晶体管。因此,网状发射极晶体管(SOT23)可以用来代替更大的SOT223封装晶体管,并且提供相当、甚至更好的特性。BISS晶体管PBSS4350T和PBSS4320T以及中功率晶体管BDP31。
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