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PUMD12

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  • 大小:60.88KB
  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:NPN/PNP resistor-equipped transistor
  • 晶体管极性::npn型/ PNP输出
  • 电压, Vceo::50V
  • 功耗, Pd::200mW
  • 集电极直流电流::100mA
  • 直流电流增益 hFE::80
  • 工作温度范围::-65°C 到 +150°C
  • 封装类型::SOT-363
  • 针脚数::6
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)
  • 功耗::200mW
  • 封装类型::SOT-363
  • 总功率, Ptot::300mW
  • 晶体管数::2
  • 晶体管类型::偏压电阻(BRT)
  • 最大连续电流, Ic::100A
  • 模块配置::双
  • 满功率温度::25°C
  • 电压, Vcbo::50V
  • 电流, Ic hFE::10mA
  • 电流, Ic 最大::100A
  • 电阻, R1::47kohm
  • 电阻, R2::47kohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值::100
  • 表面安装器件::表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大::150mV
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