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ZXMN3A03E6TA

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  • ZXMN3A03E6TA

    ZXMN3A03E6TA

  • 600000

  • DIODES(美台)

  • SOT-23-6/2017+

  • -

  • 1圆盘有3000个N沟道,30V,3。7A,50mΩ@10。。。

ZXMN3A03E6TAPDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准

ZXMN3A03E6TA外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:50 毫欧 @ 7.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:12.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:600pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-23-6
  • 供应商设备封装:SOT-23-6
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:ZXMN3A03E6TR
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