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ZXMN6A11DN8TA

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ZXMN6A11DN8TAPDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准

ZXMN6A11DN8TA外观图

  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:120 毫欧 @ 2.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:330pF @ 40V
  • 功率 - 最大:1.25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOP
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:ZXMN6A11DN8TR
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